Etude de l'Aléa Logique (SEU) Induit Dans Les Mémoires SRAM

 
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SETIT 2005
                                      3rd International Conference: Sciences of Electronic,
                                     Technologies of Information and Telecommunications
                                                 March 27-31, 2005 – TUNISIA

                          Etude de l’Aléa Logique (SEU)
                       Induit Dans Les Mémoires SRAM
                           Dj.Sadaoui *, A.Benslama ** et M.Benslama *
              *Laboratoire d’électromagnétisme et télécommunication Université de Constantine
                                             sadaouidjaouida@yahoo.fr
                                            malekbenslama@hotmail.com

                            **Laboratoire de physique mathématique et sub atomique
                                           Achourbenslama@caramail.com

Résumé: Les mémoires SRAM utilisées dans les domaines spatial, aérospatial et terrestre requièrent une sensibilité
relativement faible au phénomène de SEU (Single Event Upset). En effet, bien que ce mode de défaillance logique ne
soit pas destructif, le fait de devoir corriger en permanence les informations corrompues dans la mémoire n'est pas
acceptable. Cette sensibilité dépend principalement de deux facteurs: l'environnement dans lequel la mémoire est
amenée à fonctionner et la technologie utilisée pour concevoir cette fonction logique. L’intégration croissante des
technologies va dans le sens d'une plus grande sensibilité de ces composants.
Mots clés: Aléa logique, Ions lourd, proton, Radiations ionisantes, Single Event Upset ( SEU).

                                                                lourds primaires du rayonnement cosmique, avoir un
1 Introduction                                                  LET suffisant pour déclencher des upsets.

La réduction continue de la taille et des paramètres                 Dans le passé, on pouvait s’assurer d’un niveau
électriques des circuits intégrés, due aux progrès              de fiabilité des circuits électroniques suffisant pour
technologiques dans le processus de fabrication                 une grande majorité d’applications, en éliminant les
microélectronique a comme conséquence une                       circuits défaillants par le biais du test de fabrication.
sensibilité accrue aux effets de l’environnement. En            Malheureusement, le test de fin de fabrication ne peut
particulier les circuits intégrés fonctionnant dans             pas protéger les circuits contre toutes les défaillances
l’espace sont sujets à différents phénomènes comme              qui se manifestent durant le fonctionnement du
conséquence des radiations, dont les effets peuvent             circuit[Anghel, 2000].
être permanents ou transitoires.                                     A l’heure actuelle, le volume de test au sol de
     Les ions, présents dans l'espace, sont responsables        l’électronique    s’accroît   considérablement.     La
de phénomènes transitoires spécifiques, rassemblés              sensibilité des composants aux ions lourds ou aux
sous le sigle SEE (Single Event Effect), dont fait              protons est habituellement établit en irradiant ces
partie le SEU (Single Event Upset) qui fait l'objet de          circuits à l’aide d’accélérateurs de particules [Dyer,
cette étude.                                                    2001]. Cependant, la mise en place et le coût de telles
                                                                campagnes d’irradiations ont motivé l’élaboration de
      A la différence des ions lourds, Les ions légers          modèles de prédiction afin d’en limiter le nombre.
tels que les protons ont des LETs (Linear Energy                Notamment, la nature même du processus indirect de
Transfer) trop faible      (
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    - Les ceintures de radiations : elles sont formées     4. Effets des radiations sur les mémoires
d’électrons, d’énergie inférieure à 7 MeV, et de              SRAM
protons d’énergie inférieure à quelques centaines de
MeV.                                                       4.1 Les Mémoires SRAM
    - Le rayonnement cosmique : il est constitué                Dans un circuit électronique, le stockage de
d’ions totalement ionisés dans une gamme d’énergie         l’information s’effectue par l’intermédiaire de charges
comprise entre 1 GeV et 1020 eV. Les protons et            s’accumulant dans certains zones très localisées des
l’hélium représentent la grande majorité de ce type de     composants. Chaque information stockée en mémoire
rayonnement même si pratiquement tous les autres           se trouve à un emplacement précis appelé " adresse
éléments de la table périodique y sont représentés.        mémoire ". La manière dont l'information est stockée
    - Le vent solaire : constitué pour l’essentiel         est comparable à un tableau constitué de lignes et de
d’électrons de protons et d’hélium d’énergie inférieure    colonnes. L'intersection d'une ligne et d'une colonne
à 100 KeV. De par leur faible énergie, ces particules      forme une cellule appelée " point de mémoire ".
sont très rapidement arrêtées et n'arrivent pas au         Le point mémoire est une bascule bistable composée
contact des composants.                                    de deux inverseurs MOS rétrocouplés.
    - Les éruptions solaires : elles peuvent être de
deux types. Les éruptions riches en protons qui ont un
spectre d’énergie pouvant aller jusqu’à une centaine
de MeV et les éruptions solaires à ions lourds qui ont
un spectre en énergie allant de quelques dizaines à
quelques centaines de MeV. Si le spectre est moins
dur ici que pour les rayons cosmiques, le flux d’ions
peut être en revanche 100 à 1000 fois plus important.

3. Les événements singuliers
     Les phénomènes associés aux ions lourds ont
                                                                           Figure 1. Point mémoire
seulement été découverts et pris en compte au début
des années 80. L'impact des ions lourds n'avait                 Sur cette figure, les potentiels des points A et B
jusqu'alors que peu d'effet sur l'électronique. La part    sont complémentaires (Ā=B). La donnée est stockée
croissante de l'électronique embarquée dans les            par l’intermédiaire des points A ou B. Les deux états
missions spatiales, l'allongement de ces missions et la    stables possibles correspondent au 1 et au 0 logique.
forte intégration des circuits font, qu'aujourd'hui, la    Chaque cellule mémoire conserve donc un bit
prise en compte de l'effet des ions lourds est d'une       d’information défini par un état bas ou un état haut.
importance majeure dans le choix de certains               On dit que la cellule présente un état haut lorsque le
composants pour la fiabilité d'un satellite. Depuis peu,   nœud A présente un niveau de tension haut (B un
les particules ionisantes plus généralement deviennent     niveau Bas). Inversement, l’état bas est défini lorsque
un sujet de préoccupation grandissant pour la fiabilité    le nœud A présente un niveau de tension bas ( B un
de l'électronique opérant au niveau du sol. Jusqu'à        niveau haut).
présent, seuls les circuits très fortement intégrés sont
                                                                Deux transistors sont ajoutés pour constituer la
concernés par ce mode de défaillance pour
                                                           cellule élémentaire. Ils jouent le rôle de portes de
l'environnement terrestre. Le passage d'une particule
                                                           transfert ou de transmission et permettent ainsi
ionisante (d'origine primaire ou secondaire) dans une
                                                           d’écrire ou de lire l’information dans le point
mémoire peut engendrer différents types d'événements
                                                           mémoire. Pour gérer ces accès au niveau circuit, il faut
pouvant conduire à la défaillance voire la destruction
                                                           rajouter un ensemble d’éléments périphériques
du composant. Parmi ces évènements doivent être
                                                           constitués de décodeurs d’adresses et d’amplificateurs.
mentionnées :
                                                           Ces éléments occupent environs 40% de la surface
    •    Le SEU ou Single Event Upset qui                  totale de la mémoire.
         correspond au changement d'état logique d'un
         point mémoire.                                    4.2 Descriptions du phénomène de SEU dans une
                                                               SRAM
    •    Le SEL (Single Event Latchup) résulte de la
         mise en conduction (effet thyristor) d’une             Le phénomène de Single Event Upset (SEU)
         structure parasite   p-n-p-n     dans un          correspond au changement d'état logique d'un point
         composant CMOS [Buchanan & al.,                   mémoire suite au passage d'une particule unique. Ce
         2001].                                            changement accidentel de niveau logique dans une
                                                           mémoire est réversible (le point mémoire pourra être
                                                           corrigé par le processus normal d'écriture) et ne
                                                           conduit pas à la destruction du composant. De manière
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générale, tout composant électronique possédant des            Une analyse au premier ordre indique que l’apport de
points de mémorisation est sensible au SEU.                    charges induit par une particule peut provoquer un
                                                               upset si :
     Une approche du phénomène de SEU consiste à
considérer globalement l’effet d’un ion comme une                  •    La particule ionisante traverse le composant à
impulsion de courant parasite appliquée à la cellule                    proximité d’une surface sensible. La surface
SRAM. Le point mémoire contient une information                         la plus sensible d’une cellule mémoire à été
donnée et l’impact de la particule est localisé dans un                 identifiée comme étant le drain du transistor
transistor bloqué. Pour décrire le mécanisme entrant                    NMOS bloqué.
en jeu, étudions le cas d’un bistable CMOS,                        •    La charge collectée est au moins égale à une
schématisé dans la figure 2.                                            charge minimum appelée charge critique.
                                                                        Cette quantité serait égale à l’intégrale du
                                                                        courant transitoire du drain du transistor
                                                                        NMOS bloqué, jusqu’au temps de
                                                                        basculement minimal.
                                                                   •    L’impulsion de courant créé par la particule
                                                                        est suffisamment longue pour que l’effet de
                                                                        mémorisation puisse intervenir.
                                                                   •    La charge nécessaire au basculement doit être
                                                                        collectée au nœud sensible suivant que le
                                                                        cycle de réécriture n’intervienne.

                                                               6.Moyen de prévention                         et      de
                                                               protection face aux SEE’s
                                                                    Un moyen de faire face aux effets des radiations
                                                               consiste à minimiser la probabilité d’apparition des
                                                               effets qui leurs sont liés. Trois types d’actions
                                                               permettent cette prévention.
           (a)             (b)           (c)                   6.1 Le blindage :
Figure 2. SEU dans un point mémoire CMOS - (a) Etat                  Il a pour but d’éliminer ou du moins de réduire, le
initial du point mémoire - (b) Passage d’ion lourd au niveau   flux et l’énergie des particules incidentes. Il s’agit, en
du transistor N2 - (c) Changement d’état du point mémoire.     général, d’une feuille d’aluminium de quelques
                                                               millimètres d’épaisseur. Les électrons sont
     Le circuit est conçu de sorte qu’il a deux états
                                                               considérablement ralentis par la présence du blindage,
stables, l’un qui représente un « 0 » et l’autre qui           mais l’effet d’atténuation est beaucoup plus faible
représente un « 1 ». Dans chacun des états logiques            pour les protons, surtout les plus énergétiques. Les
stables, deux transistors sont dans un état passant            blindages deviennent complètement inefficaces contre
(« ON » ) et les deux autres dans un état bloquant             les particules des rayons cosmiques qui peuvent avoir
(« OFF »). Un upset se produit, par exemple, quand             des énergies de plusieurs MeV voire de l’ordre du
une particule énergétique touche le drain du transistor        GeV. Cette solution, bien que souvent utilisé pour
N2 bloqué. L’impulsion de courant produite dans le             l'effet de dose, est très mal appropriée au SEU, voire
nœud B change son potentiel, cette variation est               non envisageable.
transmise à l’autre moitié de la cellule bistable si cette
impulsion produit une variation de tension suffisante          6.2 Le durcissement des composants
pour provoquer la modification de l’état du transistor               Deux approches permettent de diminuer la
P1, le nœud A changera d’état. Si cet état est maintenu        sensibilité aux rayonnements l’une, au niveau
suffisamment longtemps pour que l’effet de la                  technologique, utilise des méthodes de fabrication de
mémorisation intervienne, il y aura un basculement             composants plus robustes ; l’autre agit soit au niveau
logique.                                                       de la conception du système entier ou le durcissement
                                                               se réalise plutôt grâce à des architectures tolérantes
5.Conditions nécessaires au déclenchement                      aux fautes transitoires, soit par la modification de la
  du SEU :                                                     taille des dispositifs sensibles aux SEE (tels les
                                                               registres, les points mémoires…).
    Le temps de réponse d’une cellule SRAM au stress
que représente le passage d’une particule ionisante (de
                                                               6.3 Prévention au niveau système
l’ordre de la femtoseconde) est de quelques dizaines
de picosecondes.                                               Les deux moyens de prévention précédemment cités
                                                               (technologique et architectural) ne permettent pas une
                                                               protection totale, en particulier face aux erreurs
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produites par les upsets. Des précautions                   7.1.1 SEU induit par Ions lourds
supplémentaires doivent donc être prises au niveau du            Une particule ionisante, lors de son passage dans
système, généralement d’après quatre approches.             un composant, dépose de l'énergie par ionisation de la
                                                            matière tout au long de sa trace. Ce dépôt d'énergie
    •    Détection et correction d’erreurs : cette          par unité de longueur, dE/dx, correspond à la création
         méthode consiste à ajouter des bits                de pair électron-trou, Cette grandeur est appelée LET
         supplémentaires, dit bit de contrôle, à tout       [Huhtinen, & al., 1999]. Pour un composant donné,
         mot d’une mémoire.                                 l'effet d'un ion ne conduit à une défaillance qu'au-
    •    Redondance : elle peut se faire à deux             dessus d'un LET minimal appelé LET seuil, qui
         niveaux, redondance matérielle et/ou logiciel.     s'exprime en MeV cm2mg-1 ou en pC/µm. Pour un flux
    •    Chien de garde : un message est envoyé             d'ions de LET donné, le nombre d'événements alors
         d’un point à un autre d’un circuit ou d’un         comptabilisés est d'autant plus grand que la surface
         système. Si le récepteur ne reçoit pas de          sensible du composant est elle-même plus grande (les
         message dans un intervalle de temps donné,         zones sensibles ne couvrent pas toute la surface du
         une action prédéterminée est effectuer.            composant). C'est pourquoi on introduit la notion de
    •    La contrôle à partir du sol : cette méthode        section efficace, exprimée en cm2, qui permet
         de dernier recours, consiste à réinitialiser, en   d'indiquer la sensibilité d'un composant à un
         cas d’erreurs ou de « Watchdog timer », un         phénomène donné. Cette section efficace, s'exprime en
         système défaillant. Il peut aussi être procédé     fonction du taux d'événements N comptabilisés et de
         à un téléchargement régulier depuis la terre,      la fluence     d'ions lourds qui correspond au flux
         des données critiques afin de prévenir les         normal à la surface du composant, en particules par
         erreurs.                                           cm2 et par seconde, que multiplie le temps
                                                            d'irradiation[Buchanan & al., 1999].

7. Moyen de prévision du SEU                                  (cm2) = N(événements) /(Nombre de particule.cm-2)
      Tous les moyens de prévention précédemment            La fonction de Weibull utiliser pour la prédiction de
cités ne permettent pas à priori une immunité totale        la section efficace induite par ion lourd est donnée par
face aux SEE’s et en particulier aux Upsets. Un             [Laa, 2002 ][ Normand,1996 ] :
moyen d'assurer un fonctionnement et une durée de
vie optimaux à une mission spatiale est, de prendre les
précautions maximales de protection. Pour cela, des
                                                                              
                                                                                         W
                                                                                                  
                                                                   σ (L )=σ 0 1−exp  − L− L0 
                                                                                               S

                                                                                                 
                                                                                                                                            ( )                               , L≥ L0
tests au sol et un calcul de prédiction sont nécessaires.
Une fois un composant caractérisé, il est alors possible
de l'éliminer s'il est trop sensible ou de prévoir les
                                                                                                                 =0                                                          , L< L0
actions adéquates (watchdog timer, reset périodique,
...) afin de diminuer les risques en orbite.                où :
                                                                                                             σ0 : section efficace asymptotique (par bit ou
7.1 Les tests au sol                                                                                         par device).
                                                                                                             L0 : Let seuil.
      Cette simulation d'upsets au sol, consiste à
                                                                                                             W : Paramètre de largeur.
exposer le circuit à caractériser à un rayonnement qui
                                                                                                             S      : Paramètre de forme (si S=1 la
soit aussi représentatif que possible de celui qu'il
                                                                                                             distribution est exponentiel, si S=2 c’est une
rencontrera durant son utilisation finale (mission
                                                                                                             distribution de Raleigh et si S=4 c’est une
spatiale). L'évaluation sous ambiance radiative du
                                                                                                             distribution normal).
comportement des circuits intégrés, soulève différents
problèmes. Le premier est la reproduction de                                                                          S ec tion effic ac e d"ups et induit par Ions Lourds

l'environnement spatial par un faisceau de particules
                                                                                                        0
                                                                                                   10

(ions lourds, électrons, protons) similaire à celui                                                10
                                                                                                        -1

rencontré dans l'espace. Il est aussi nécessaire de
développer un environnement électronique faisant                                                   10
                                                                                                        -2
                                                                   S ec tion E ffic ac e (c m 2)

l'interface entre le circuit sous test et le monde
extérieur durant son irradiation et collectant les
                                                                                                        -3
                                                                                                   10

résultats, il s'agit du système de test. Enfin, une                                                     -4
                                                                                                   10
stratégie de test destinée à évaluer la sensibilité du
composant doit être développée.                                                                    10
                                                                                                        -5

     Le but de tels tests est d'obtenir une                                                        10
                                                                                                        -6

caractérisation de la sensibilité face aux upsets du                                                         0           20                   40
                                                                                                                                    LE T (M E V /m g.c m 2)
                                                                                                                                                                   60             80

circuit étudié et cela pour différentes valeurs de LET,
afin de déterminer la courbes de section efficace.          Figure 3. Section efficace d’upset induit par ion lourd en
                                                            fonction du LET (SRAM HM65656 32K8).
SETIT2005

7.1.2 SEU induit par Protons :                                                                           10
                                                                                                              -8
                                                                                                                               S ec tion E ffic ac e d"ups et induit par P ROTONS

     Les ions de faible masse, comme les protons ou
les particules alpha, ont un LET relativement faible.
Jusqu'à présent la valeur du LET de ces particules était

                                                                  S ec tion effic ac e (c m 2/devic e)
                                                                                                              -9
                                                                                                         10
insuffisante pour que l'ionisation directe qu'elles
produisent induise des effets électriques gênants dans
les composants. En plus de ces effets directs, ces
                                                                                                              -10

particules peuvent provoquer des réactions nucléaires                                                    10

avec les noyaux atomiques de la cible lorsque leur
énergie est assez grande. Les fragments qui en
résultent peuvent être des ions lourds secondaires, qui                                                  10
                                                                                                              -11

                                                                                                                    0     20             40            60           80              100   120
ont la propriété d'affecter le bon fonctionnement des                                                                                           E nergie (M eV )

technologies depuis quelques années. Ces réactions
nucléaires peuvent être provoquées également par les          Figure 4. Section efficace d’Upset induit par proton
ions lourds primaires, mais la probabilité de ce type        (modèle de Bendel à deux paramètres modifié) pour la
d'interaction est faible et l'effet est quantitativement                      SRAM XC4036XLA.
négligeable. L'abondance des ions légers nécessite de
prendre en compte leurs effets. Les protons d'origine          En contrepartie de sa facilité de mise en œuvre le
solaire ou cosmique, ainsi que ceux piégés dans les        modèle classique de Bendel s’avère insuffisamment
ceintures de radiation (en particulier au niveau de        précis dans de nombreux cas.
l'anomalie de l'Atlantique sud [Vial, 1998]), peuvent             B. Modèle de Profit (PROtonFIT): [Buchanan
donc induire une réaction nucléaire avec le silicium                 & al., 2001]
des composants embarqués dans les satellites. Cette
réaction peut conduire au recul d'un noyau lourd                P. Calvel propose une méthode originale pour le
accompagné par l'émission de radiations de type,           calcul des sections efficaces d’upset proton, faisant
protons ou neutrons. Ces ions secondaires ont un           intervenir la diffusion coulombienne des protons sur
parcours dans la matière très faible (quelques microns)    les atomes de silicium.
mais dont l'origine peut se situer dans la partie active   La section efficace d’upset utilisée dans le modèle de
du composant. Ils peuvent donc être à l'origine de         PROFIT est donnée par :
certaines défaillances. On retiendra que la probabilité
de produire un ion secondaire est de l'ordre de 10-5                                 L (E s (E )− L0 )  S  
par proton alors que le flux de protons peut être 105        σ (E ) = σ 0  1 − exp  −                     c N at σ nucl (E ).
                                                                                                                                                       i

                                                                                             W            
fois plus important que le flux d'ions lourds primaires.                          

    Au cours de ces dix dernières années de                L(Esi (E)) est le pouvoir d’arrêt électronique des ions
nombreuses équipes se sont intéressées à l’élaboration     du silicium.
de modèles de prédictions des sections efficaces
d’upset proton σ(Ep).
                                                                                                                                         a + c E + e E2 
                                                                                                                          L (E ) = exp                 
                                                                                                                                                       2 
    A.       Modèle de Bendel modifié :                                                                                                 1+b E + d E 
    Le modèle de Bendel modifié utilise un seul
paramètre pour décrire une valeur de la saturation de      Où :
la section efficace et un autre paramètre considéré                                                                 a = -0.150, b = 1.040, c = 3.100, d = 3.9x10-3
comme l’énergie seuil pour décrire le comportement                                                                  et e = 3.106x10-3.
du composant aux basses énergies.                          La section efficace nucléaire est donnée par :

                            ()                                                                                             σ nuc (E )= β Eα .10−27
                                             4
                                   12 
 σ (E) =S 1−exp−0.18⋅ 18  (E−A)  , E>A
                           14

                        A           
                                                           Où :
         =     0               ailleurs                                                                             α = -0.5 et β =758.95.
                                                           l'énergie de recul de l'atome du silicium suite à la
                                                           diffusion élastique d’un proton d’énergie E est donnée
S : section efficace à saturation (Section Efficace aux    par la formule suivante :
énergies élevées du proton).
A : l’énergie Seuil.
     La figure 4 présente un exemple de l’application
                                                                                                                          Esi =
                                                                                                                                         4 Asi
                                                                                                                                       (1+ Asi )2
                                                                                                                                                  sin 2 T E
                                                                                                                                                         2
                                                                                                                                                                   ( )
de ce modèle sur la SRAM XC4036XLA.
SETIT2005

Où :                                                                                                                                     Conclusion :
                                                                     T : angle de diffusion.                                                  La connaissance de la réponse des mémoires
                                                                     Asi =28 est la masse atomique du silicium.                          SRAM aux phénomènes SEU, et donc du risque
                                                                                                                                         encouru, est indispensable afin de pouvoir statuer sur
                                                                     Nat =5 x 1022 nombre atomique/cm3.                                  leur éventuelle utilisation dans les milieux radiatifs,
                                                                     c : est la profondeur d’épuisement.                                 qu'ils soient spatiaux, aérospatial ou terrestre.
Pour les calculs réalisés avec la méthode de Profit,                                                                                           Suivant la nature du projet spatial, il faudra
nous avons pris d = 2 µm, c’est la valeur proposée par                                                                                   trouver un compromis entre les contraintes imposées
Calvel et considérée comme la mieux adaptée à son                                                                                        par les environnements radiatives et les considérations
modèle. En moyenne la saturation est prédite avec                                                                                        techniques et économiques qui prévalent lors de la
70% d’erreur seulement.                                                                                                                  réalisation d'un système électronique. Ceci est
                                                                                                                                         nécessaire pour aboutir à la mise en place d'une
La figure 5 présente le résultat de l’application du                                                                                     méthodologie particulière agissant au niveau du
modèle de profit pour T = 90° (cas le plus                                                                                               système, de l'équipement ou du composant. Le risque
défavorable).                                                                                                                            d'erreur toléré est ainsi variable d'un projet à l'autre.
                                                                             Sec tion effic ac e d"ups et induit par P ROTONS
                                                                                                                                         Les projets d'applications, où le risque doit être
                                                                                                                                         minimum, sont généralement distingués des projets
                                                               -6
                                                   10

                                                                                                                                         scientifiques ou à faible coût pour lesquels on est
                                                   10
                                                               -8                                                                        amené à tolérer un risque plus important.
       Sec tion effic ac e(c m 2/devic e)

                                                                                                                                             En dépit du peu d'informations concernant la
                                                   10
                                                               -10                                                                       sensibilité SEU des mémoires CMOS SRAM, il
                                                                                                                                         semble clair que les rayonnements radiatifs ionisants
                                                                                                                                         soient à présent un problème significatif pour les
                                                   10
                                                               -12
                                                                                                                                         applications spatial et terrestres.
                                                                                                                                              Dans la perspective d’une infrastructure orbitale
                                                   10
                                                               -14

                                                                    10
                                                                         0
                                                                                      10
                                                                                           1
                                                                                                                   10
                                                                                                                        2
                                                                                                                                10
                                                                                                                                     3   de plus en plus complexe, l’enjeu économique des
                                                                                               ENE RGIE (M eV )                          programmes spatiaux lié au développement des
                                                                                                                                         constellations de satellite et le risque encouru en vie
Figure 5. Section efficace d’upset induit par proton en
                                                                                                                                         humaine rendent impérative la conception de systèmes
fonction de l’énergie incidente du proton (modèle de
                                                                                                                                         électroniques qui soient « libérés » des contraintes
PROFIT pour la SRAM Xilinx XQRV300).
                                                                                                                                         associées à ces phénomènes.
Nous constatons que la validité du modèle de PROFIT
est limitée aux énergies élevées. Dans le cas du
                                                                                                                                         Remerciements
modèle de profit l’interaction est supposée élastique,
l'énergie après interaction de l'ion du silicium dans ce                                                                                     Les auteurs tiennent à remercier le laboratoire
cas est proportionnelle à l'énergie du proton.La courbe                                                                                  pour son soutien, son aide précieux, ses critiques et ses
du LET en fonction de l’énergie du proton est                                                                                            encouragements.
présentée en figure 6. La courbe atteint un maximum à
une énergie du proton d'approximativement 300 MeV.                                                                                       Références
Au-dessus de cette énergie les LET commencent à
diminuer de leurs maximums d'approximativement
                                                                                                                                               Anghel, 2000 L.Anghel, «Les limites du silicium et
15MeV.cm2/mg.                                                                                                                            tolérance aux fautes », thèse de doctorat en électronique de
                                                                                                                                         l’institut nationale polytechnique de Grenoble,15 octobre
                                                               16                                                                        2000.
                                                               14                                                                            Binder & al., 1975 D. Binder, E. C. Smith et A.B.
                                                               12
                                                                                                                                         Holman, "Satellite anomalies from galactic cosmic rays",
                                                                                                                                         IEEE Transactions on Nuclear Science, NS-22, N°6, pp.
                                      LE T (M eV -c m 2/m g)

                                                               10
                                                                                                                                         2675-2680, décembre 1975.
                                                                8
                                                                                                                                              Boudenot 1995 J.C. Boudenot, « L’environnement
                                                                6
                                                                                                                                         spatial », ed. Presses Universitaires de France, Collection «
                                                                4
                                                                                                                                         Que sais-je ? », Octobre 1995.
                                                                2                                                                             Buchanan & al., 2001 N.Buchanan, D.M.Guingritch,
                                                                0
                                                                                                                                         «Proton induced Radiation Effects On a Xilins FPGA and
                                                                10
                                                                   0
                                                                                      10
                                                                                           1
                                                                                                                   10
                                                                                                                        2
                                                                                                                                10
                                                                                                                                     3
                                                                                                                                         Estimates of SEE in the ATLAS Environment »,Center of
                                                                                                E nergie (M eV )
                                                                                                                                         Subatomic Research University of Alberta, Edmonton, AB,
                                                                                                                                         Canada, TRIUMF, Vancouver, BC, Canada, April 24, 2001.
Figure 6 . LET en fonction de l’énergie du proton.
SETIT2005

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